Fyzikální základy mikroelektroniky
Principy technologie přípravy monokrystalů: polovodičové materiály a jejich charakteristiky, požadavky na monokrystaly, princip výroby poly-Si, technologie výroby monokrystalů metodou Czochralského, zonální tavby, základní parametry procesu (Si, Ge, GaAs, InP ), technologie výroby polovodičových desek, hodnocení parametrů polovodičových monokrystalů a desek.
Technologie výroby polovodičových součástek: bipolární a unipolární technologie, srovnání z hlediska dosažitelné integrace, rychlosti, technologických možností atd., základní technologické operace a jejich parametry a fyzikální popis, technologický cyklus, zabezpečení výtěžnosti technologií, hromadné a individuální operace, návrh polovodičové součástky, jednotlivé kroky, technologická zařízení používaná v rámci technologického cyklu, využití optoelektronických principů ve výrobě polovodičových součástek.
Funkce polovodičových součástek a struktur: p-n přechod, MOS, Schottkyho přechod, struktura fotodetektoru, dioda, tranzistor - struktura, pásový model, funkce, charakteristiky, specielní součástky, Zenerova dioda, p-i-n detektor, IGBT struktury, polovodičový laser, emisní dioda, optoelektronické senzory polohy, maticové detektory, metody testování, zjišťování spolehlivosti součástek atd.
Literatura:
Wieslav Marciniak :"Polovodičové součástky typu MIS", SNTL 1979
Ju.R.Nosov, V.A.Šilin :" Polovodičové nábojově vázané struktury", SNTL 1982
Ivor Brodie, Julius J. Muray :"The Physics of Microfabrication", Plenum Press, New York and London, 1982
Černjaev, V.N. :" Technologija proizvodstva integralnych mikroschem i mikroprocessorov",Radio i svjaz, 1987
L.Eckertová :"Fyzikální elektronika pevných látek", Univerzita Karlova, Praha 1992
A.Guldan, Š.Luby, L.Szántó, Z.Sobotka :"Unipolárne integrované obvody", Alfa 1980
W. C.Till, J.T. Luxon :"Integrated Circuits : Materials, Devices, and Fabrication", Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. 1982